电容

1法拉（F）

= 10^3毫法（mF）

=10^6微法（μF）

=10^9纳法（nF）

=10^12皮法（pF）

NO.3 集成电容

电容的种类很多，根据电容器的制作工艺可分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。书中详细介绍了一种利用MOS晶体管的栅电容来实现的一种高密度的电容，但其电容值非线性，如下图所示，截取了书中所示的一个40nm常规NMOS管电容与栅极电压的仿真曲线。根据栅极电压不同，NMOS晶体管可以工作在积累区（VgsVth）。

文中介绍是在积累区或者反型区，NMOS的电容值达到最大，近似等于Cox。但是这两个区，电容值最大。但是在反型区，器件的偏置电压应该大于阙值电压，这对于低电源电压的场合不太适用，因此就有了下图所示的积累型MOS电容，其电容特性曲线如下图所示。

那么还有一种电容形式在CMOS工艺中较为常见，即梳状电容，因为在CMOS工艺中，金属线可以靠的很近，获得很强的边缘电场。

CMOS相关工艺制作的梳状电容在书中有比较详细的介绍。在工艺所允许的最小空间内走最小宽度的金属线，构成梳状结构，连接在每一端的多层金属放在各自的顶层，进一步增加密度。

进一步，利用MOS的栅极电容和梳状电容相连，进一步提高电场密度，增加电容值。

今天就学到这里，下次我们接着学射频元件之电感部分。

参考文献：

1，  法拉：https://baike.baidu.com/item/%E6%B3%95%E6%8B%89/27336?fr=aladdin

2， 电容：https://baike.baidu.com/item/%E7%94%B5%E5%AE%B9/146658?fr=aladdin

3，射频集成电路及系统设计   Hooman Darabi

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